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　　就在当天上午，中国国务院副总理刘鹤刚与美财政部长耶伦举行视频通话。值得注意的是，这次通话两次提到了“全球产业链供应链稳定”，并强调要共同维护，中方还表达了对美国取消对华加征关税和制裁、公平对待中国企业等问题的关切，并称这次“交流富有建设性”。

　　据悉，美国政府的行动，早在一个多月前，美国商务部副部长唐·格雷夫 （Don Graves）访问荷兰时就已经开始。

　　在访问行程中，格雷夫还专门拜访了阿斯迈尔的总部，并和阿斯迈尔首席执行官彼得·温宁克 （Peter Wennink）进行会面。

　　同时还有消息显示，除了荷兰，日本政府同样受到了来自美国的压力，因为日本尼康同样掌握DUV光刻机制造能力。

　　消息曝出之后，阿斯迈尔的美国存托凭证跌幅一度扩大到8.3%，截止到目前已经回落至3.87%。

　　毕竟具备7nm以下制程芯片制造能力的EUV光刻机，早在2020年初，因为美国政府的压力而禁止出口到中国。

　　至于更先进的EUV光刻机核心技术，现在还处在实验室的基础研发阶段，比如光刻胶原材料、EUV极紫外光源等等，何时能研发成熟投入商用，现在来看仍然是一个巨大的未知数。

　　也就是说，一旦荷兰政府同意禁止出口，制程先进的高端芯片且不说，连7nm以上制程的芯片，包括大部分车规级芯片、以及一些消费类芯片，都将面临受制于人的命运。

　　从彭博社曝出的消息来看，目前荷兰政府尚未同意，对阿斯迈尔向中国出口DUV光刻机有任何额外限制行动。

　　测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是双工作台。一般的光刻机需要先测量，再曝光，只需一个工作台，而ASML有个专利，有两个工作台，实现测量与曝光同时进行。而本次“光刻机双工件台系统样机研发”项目则是在技术上突破ASML对双工件台系统的技术垄断。

　　物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。

　　硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。

　　内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

　　我国在光刻机方面的技术积累和人才储备相对不足，虽无法制造高端光刻机，但可以制造一些低、中端的光刻机。

　　2008年起，我国开始重视光刻机的研发。为推动我国集成电路制造产业的发展，国家决定实施科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”项目（又称“02专项”）。在该项目下，我国研究团队一路攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已经研制成功。

　　2019年4月，武汉光电国家研究中心甘棕松团队通过2束激光，在自研的光刻胶上，突破光束衍射极限的限制，并使用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段。该成果一举实现光刻机材料、软件和零部件的三大国产化。

　　2020年6月，上海微电子设备有限公司透露将在2021—2022年交付首台国产28纳米工艺浸没式光刻机。这意味着国产光刻机工艺从以前的90纳米一举突破到28纳米。

　　虽然国产28纳米光刻机与已面世的5纳米顶尖制程存在较大差距，但常见的射频芯片、蓝牙芯片、功放芯片、路由器上的芯片、各种电器的驱动芯片等非核心逻辑芯片，仍采用28~90纳米工艺。

　　在光刻工艺进入28纳米以下制程之后的较长一段时间里，16纳米和14纳米制程的成本一度高于28纳米，与摩尔定律的运行规律相反，这也使得28纳米制程工艺极具性价比。在实际应用中，28纳米光刻机不仅能用来生产28纳米芯片，更有望通过多重曝光的方式生产14纳米、10纳米、7纳米芯片。尽管我国自主光刻机与外国先进水平仍有不小代差，但未来可期。

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